“27度的房间中，在经过一分多钟的数据传输后，传输手机的正面最高温度只有31.8度，背面的最高温度只有32.4度！”

“接收的手机的正面最高温度只有30.7度，而背面的温度也只有31.6度！”

从目前公布出来的数据来看，这次基于Flyme共通功能的数据传输不仅出的速度快并且也非常的安全。

相比于目前大多数主流的传输来说，这次的Flyme共通的传输水平已经是走在了最前面。

这从侧面也验证了目前Flyme共通传输技术的牛逼之处。

“同时这一次我们也正式推出莓族全新的闪存芯片技术-MzUS2.0读写芯片，这款芯片的随机读写速度达到2G/每秒！最高可达到5G/每秒！”

当然为了能够让这些传输水平达到如此高的要求，黄达这次在经过深思熟虑后，还是拿出了最新的闪存芯片技术。

要知道未来的移动端的处理器芯片基本上是将所有的模块全部集成在一个芯片之上，未来的顶尖的闪存和运存芯片也将会集成在处理器芯片之上。

而这项闪存芯片可是领先了友商十年的水平。

而这款闪存芯片只需要最为常规的14纳米工艺，目前暂时由中星国际为其代工。

可以说目前的莓族芯片代工还能求救于中星国际，只不过制程工艺最多也只能够采用14纳米工艺。

虽然中星国际这几年是奋起直追，但是相比于目前的台基电还是差了四年多的水平。

要知道14纳米的制程工艺，三鑫和台基电早在16年就搞定，今年的台基电已经突破了5纳米工艺，并且开始向着最高的3纳米工艺发展，

而中星国际却因为设备以及技术专利等多方面的原因，暂时受限于只能生产14纳米的芯片。

并且芯片的生产成本和价格都要稍微的高于目前的台基电。

不过目前的黄达也暂时的打算将明年的6系列处理器芯片交给中星国际代工生产，来缓解目前公司缺芯的情况。

若是实在不行，黄达也会考虑强制设计14纳米的7和8系芯片，从而在新的光刻机研发生产出来之前，保证目前这家公司在市场的影响力和份额。

当然最新的闪存和运存芯片黄达已经交给了目前的中星国际代工。

其中代工的闪存芯片总共有两代，分别为MzUS1.0和2.0两代，其中1.0采用的是相对于较为落后的28纳米制程工艺。

只不过这样的制成工艺也能够生产出较为强大的闪存芯片，其中MzUS1.0的闪存芯片随机的读写速度能够达到1G每秒，最高读取速度能够达到2G每秒。

若是明年莓族手机7系列和8系列采用14纳米的制程工艺的话，黄达相信高水平的闪存芯片能够改变用户们对于莓族的印象。

随着全新闪存芯片的曝光，无数的网友也被这一次的莓族给吓傻了。

毕竟这样